MP6539 是一款设想用于三相无刷直流电机初始器控制的栅极初始器 IC。MP6539 能初始由六个 100V N-通说念功率 MOSFET 构成的三个半桥。
*附件：100V反差 英文， Three-Phase， BLDC MotorPre-Driver with HS & LS Inputs.pdf
MP6539 使用自举电容为高端 MOSFET 初始供电。要是需要永劫期输出高电平，则由里面充电泵保管高侧栅极初始器电压。全地点的保护特色包括可编程过流保护（OCP）、可治疗死区时期已矣、欠压锁定保护（UVLO）和过温关断保护。
MP6539 承袭带散热焊盘的 TSSOP-28（9.7mmx6.4mm）和 QFN-28（4mmx5mm）封装。产物特色和上风
支撑 100V 使命电压
120V VBST 最大电压
里面 LDO 支撑外部 NPN，以赋闲大电流初始需求
集成电流采样放大器
用于电板供电控制的低功率睡眠样式
外部 MOSFET 可调过流保护（OCP）
可治疗的死区时期已矣能防患高下管纵贯
过温关断保护和欠压锁定（UVLO）保护
故障指点输出反差 英文
承袭散热性能更强、名义贴装的 TSSOP 和 QFN 封装
直流无刷 (BLDC) 电机的相位下冲在直流无刷 (BLDC) 电机初始电路中，PCB 上的寄生电感常会导致电机相位节点在开关时间短时期内被驱至负电压。对大电流、低电感的电机来说，这个问题更严重，其开关时间的 dI/dt 可能极高。
MPS 的 BLDC 预初始器（举例 MP653x 系列）大约承受相位节点上的负瞬态。 但在极点情况下，负瞬态仍有可能会损坏建造。下冲的根源
咱们先来望望当电流被初始到电机中时会发生什么。当MOSFET (HS-FET) 关断后，由于电机的感应特色，电流一定已经不绝沿并吞标的流动。起初，再轮回电流流过下管 MOSFET (LS-FET) 的体二极管；在掀开阔初始器中，LS-FET 立地导通。
丝袜英语体二极管最终将电压钳位至低于地电位的二极管压降处。然则，在体二极管的复原特色与 PCB 寄生电感的共同作用下，相位节点 (SHx) 处会产生负下冲（见图 1）。
大电流以及低电机电感引起的高 dI/dt 会加重这种负下冲。
图1: 负下冲MPS 栅极初始器的负电压容限
MPS 的栅极初始 IC 大约承受相位节点 (SHx) 上的负下冲。请参阅相关数据手册了解具体统共最大额定值。
但除了相位节点以外，还要商量下冲对自举引脚 (BSTx) 的影响。由于BSTx 和 SHx 之间有一个电容，SHx 上的较大负下冲也会迫使 BSTx 引脚履历相关于 SHx而言过高的电压，或者被初始到负电压。自举电容越大，下冲量越大，这会导致IC的损坏。缓解技巧
一般来说，有了雅致的 PCB 布局，就无需商量其他成分，因为负下冲会保合手在 IC 的瞬态统共最大额定界限内。但在某些情况下，特等是那些具有低电感/大电流的电机，可能就需要畸形的保护。
一般提出承袭的缓解技巧是，插入一个小串联电阻（频繁为 10Ω），与 IC 的 SHx 引脚串联；并在 SHx 与地之间添加一个肖特基二极管。详确，电阻必须超越小（举例低于 22Ω），因为它是与上管栅极充电电流串联的。
图 2 流露了 SHx 上肖特基二极管的抛弃位置。
图2: SHx 上的肖特基二极管
当 SHx 上重叠出现负下冲时，自举电容可能会被充电到过高的电压。这种过压情况可能会阻滞自举电路，以致在 SHx 输出被初始为高电平方导致 HS-FET 栅极被击穿。在这种情况下，不错在 BSTx 和 SHx 之间测度一个瞬态电压逼迫 (TVS) 二极管。
TVS 二极管的额定击穿电压应高于最大 HS-FET 栅极初始电压。关于 MP653x 系列器件，提出承袭 12V TVS 二极管。TVS 二极管不错钳位 BSTx 与SHx 之间的电压，幸免其普及里面自举电路的击穿电压。
咱们提出在SHx上抛弃肖特基二极管，而不是在BSTx上抛弃TVS二极管； 承袭 TVS 二极管处治有缱绻时，在 SHx 下冲的一些极点情况下，BSTx 引脚仍可能承受负电压。
图 3 流露了承袭 TVS 二极管的处治有缱绻。
图3: BSTx 和SHx之间的TVS二极管